A proposta inicial para o HgI2 era formar filmes finos através da evaporadora
térmica, mas antes da fabricação desses filmes, realizou-se algumas experiências de deposição de filme através da técnica de Screen Printing. Os semicondutores PbI2 e HgI2
foram misturados em algumas bases, que proporcionavam a pasta para a deposição no substrato, posteriormente com a secagem surgiria o filme fino. Nenhuma das tentativas para fabricar os filmes por esse método teve sucesso, mas em uma das bases na qual misturou-se o HgI2 é observado uma grande capacidade de dissolução.
A base utilizada era o precussor tetraetóxisilano (TEOS), usado na rota de SOL _GEL. Junto ao TEOS, são inclusos alguns componentes como álcool etílico e a água que tem a capacidade de dissociar o HgI2. Contudo, esses dois solventes têm poder de
dissociação na ordem de 6x10-2mg/ml e 31x10-2mg/ml para a água e álcool etílico respectivamente[40,41], muito abaixo de valores 705 mg/ml que foi obtido na experiência. Consequentemente havia outro solvente que está contribuindo com a dissociação.
Investigações mostraram que o componente N.N-Dimetilformamida (DMF), o qual é também acrescentado junto ao precussor TEOS, é o responsável pela alta dissociação tanto de PbI2 quanto de HgI2. O DMF nunca foi pesquisado ou investigado como um solvente
para dissociar qualquer semicondutor, assim, surgiu o interesse e a motivação em usar o DMF como um novo solvente para dissociar o PbI2 e HgI2 e posteriormente, usá-lo para
fabricar os dispositivos semicondutores de detecção. Para o PbI2, o estudo se direcionou ao
crescimento de filmes finos, com a técnica de spray pyrolysis, usando a solução com DMF. Os filmes apresentaram melhores resultados elétricos e estruturais do que os filmes crescidos usando soluções a partir de água ou álcool etílico, resultados tais, que colaboraram para a conclusão da tese de doutorado de José Fernando Condeles [11]. O interesse se voltou então para o uso do DMF com o HgI2 e o estudo dos possíveis
dispositivos que poderiam ser formados. Os cristais de HgI2 crescidos com DMF também
apresentaram melhores resultados que os cristais crescidos com acetona, água e éter, os quais são estudados pelo doutorando Julio César Ugucioni [13].
O DMF é um solvente orgânico, incolor, cuja composição é C3H7ON e tem um
poder de dissolução para o HgI2, em temperatura ambiente, de 696,5mg/ml. Utilizando o
DMF como solvente na técnica de EIS não foi possível, nas condições testadas, produzir qualquer filme de HgI2, no entanto, cristais cresceram de forma retangular e com espessura
adequada que indicava uma possível aplicação como cristal detector. Iniciou-se a produção de cristais de HgI2 alterando os parâmetros de crescimento como concentração de DMF e a temperatura de evaporação, os quais são apresentados na tabela 3.2.
Para o crescimento dos cristais, mede-se inicialmente a massa de 1,4g de pó de HgI2
da VETC 99%, posteriormente coloca-se o pó em um béquer da LABORGLAS com volume de 50ml previamente limpo, reservado em local sem luz e bem fechado. Em seguida, a estufa é ligada e aquecida até a temperatura desejada. O próximo passo é medir o DMF com uma pipeta graduada de volume total de 10ml e misturar com o pó de HgI2
dentro do béquer. Após isso, o béquer é tampado com uma placa de petry e levado à estufa. Estes procedimentos são feitos inicialmente mantendo a concentração de DMF e alterando
40ºC nenhum cristal apareceu para qualquer concentração de DFM e acima de 100ºC não foi realizada nenhuma tentativa devido à mudança estrutural do HgI2.
Foram observados que na superfície dos cristais apareciam estruturas na forma de fuligem que possivelmente vieram da atmosfera dentro da estufa. Para amenizar esse problema tentou-se diluir o DMF com o pó de HgI2 com uma quantidade de 50ml de éter
em um béquer de 100ml tapando-o com placa de petry. O éter é escolhido como solvente auxiliar, pois apresenta baixo poder de dissolução para o HgI2 e foi usado no trabalho de
mestrado, defendido pelo aluno Julio César Ugucioni.
O béquer é então levado para um local escuro na temperatura ambiente. Esse procedimento aumenta o tempo de evaporação para cinco dias. Agora o trabalho envolve duas maneiras de produzir os cristais: uma maneira relativamente rápida, que usa apenas o DMF e apresenta uma taxa de evaporação calculada na ordem de 0,9ml/hora, na temperatura de 80ºC, e outra mais lenta com o DMF mais o éter que apresenta uma taxa de evaporação calculada na ordem de 0,37 ml/hora, na temperatura ambiente.
Tabela 3.2: Parâmetros de crescimento dos cristais de HgI2 usando a evaporação de solvente
isotérmica. Concentração de DMF (ml) Massa de HgI2 (g) Tempo de evaporação (Horas) Temperatura de evaporação (ºC) 3 1,4 12 80 6 1,4 12 80 8 1,4 12 80 10 1,4 12 80 8 1,4 16 40 8 1,4 12 60 8 1,4 12 100 Concentração de DMF(ml) Concentração de Éter (mL) Massa de HgI2 (g) Tempo de evaporação (Horas) Temperatura de evaporação (ºC) 8 50 2 120 25
Das amostras apresentadas na tabela acima, duas são selecionadas para se fazer as medidas de transporte elétrico, uma é o cristal com 8 ml de DMF à temperatura de 80ºC e a outra é o cristal de DMF mais éter na temperatura ambiente. A escolha dessas amostras é baseada nos resultados e será esclarecida posteriormente.
Paras as medidas elétricas é necessário fixar fios de cobre nas laterais dos cristais para proporcionar o campo elétrico e fazer as leituras de corrente elétrica. Os fios são fixados com pasta de grafite nas laterais dos cristais com o auxiliado de um microscópio e para não quebrar o contato, uma vez que é bastante delicado, usa-se adesivo epóxi para o encapsulamento dos contatos. A Fig. 3.9 apresenta um cristal de HgI2 com os contatos nas
laterais do cristal sem o adesivo epóxi o qual é fixado posteriormente.
Figura 3.9. Fotografia de um cristal de HgI2 com os contatos laterais e sem adesivos epóxi.
Nesse capitulo foram apresentadas às técnicas desenvolvidas e utilizadas para a produção dos filmes finos de PbI2 e cristais de HgI2, tanto quanto os procedimentos e
parâmetro de fabricação. Em seguida, apresentar-se-á os métodos experimentais de caracterizações estruturais, morfológicas, ópticas e elétricas, tanto dos filmes finos quanto dos cristais.