\Formidlingavforskningerbasertpatopostulater.Fordet frsteatforskerneharnoeasi.Fordetandreatmottakerne harnoedenskeravite.Beggepostulatererselvsagtfeil."
GudmundHernes[5]
Forord
DennerapportenerdenskriftligedelenavmitthovedfagsstudiumgjennomfrtvedInstituttfor Informatikk,UniversitetetiOslo.Oppgavenoppstodsomresultatavetsamarbeidsprosjektmellom TandbergData,ogminveilederTorSverreLande.JegviltakkeTorSverreLandeogYngvarBergforveiledningogintroduksjontilanalogein- tegrertekretser,enformegnyogspennendegreninnenforvartfagfeltet.JegvilogsatakkeTand- bergDataformulighetentilavremedpaprosjektet.TakktilJohnArneNesheim,forgivende diskusjonerrundtdefagligeogikkefagligesidenevedrapporten,ogsistmenikkeminst;takktil korrekturleserene.
MortenSalomonsen Blindern,15.februar1994
Innhold
Figurer vii
1Innledning
1.1 Inndelingenavoppgaven : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : :1
12Bakgrunn
2.1 Innledning2.2 Adaptivsensorforpulsetlys2.3 Prinsippetforsensoren2.2.1 Enmuligapplikasjon;lagringsenhetformagnetband2.3.1 Valgavteknologi: : : : : : :: :: ::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: :::::3
333453Uliketyperfotodetektorer
3.1 Innledning3.2 Fotoreseptoren3.3 Fotodioder3.4 Fototransistorene3.5 Oppsummering3.1.1 Fotoelektriskeffekt3.1.2 Mrkestrm3.2.1 Strmkildemedulinerkompresjon3.2.2 Bivirkningeravenulinersignalkompresjon3.3.1 Brnndioden3.3.2 Burrieddiode3.4.1 Oppbyggningenavfototransistorene3.4.2 Responsenforfototransistorene:: :: ::: ::::: ::::: ::::::: :::::::: :::::::: :::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::::: :::::::::::: :::::::::::: :::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: ::::::::::::: 10121213141415167
778894Filtreneisensoren
4.1 Innledning4.2 FiltreiCMOS4.3 Fasekorrigerendelteroglavpasslter4.2.1 OTA-Cltre4.3.1 Allpasslteret4.3.2 Etalternativtilallpasslteret4.3.3 Faselteretisilisium4.3.4 Malingeravfasedreiningogdempningifaselteret4.3.5 Fasesplitteren4.3.6 Lavpasslteret: : :: :: :: ::: :::::: :::::: :::::: ::::::: ::::::: ::::::: ::::::: ::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: ::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: :::::::::: ::::::::::19
19192021212223242527v
4.4 Forsterkereneiltrene4.4.1 Transkonduktansforsterkeren4.4.2 Transkonduktansen4.4.3 EndringeravDC-niva: : : :: ::: ::: ::: ::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: 28282930 4.5 Oppsummering : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 32
5Sensoren
5.1 Innledning5.2 Komparatormedhysterese5.3 Sensorensoppbyggning5.4 Oppsummering5.2.1 Komparatoren5.2.2 Regulatoren5.3.1 Styfraskrivebordslampe5.3.2 Blandingavsagtannogsignalpulser: : : :: :: ::: :::: ::::: :::::: :::::: :::::: :::::: ::::::: ::::::: ::::::: ::::::: ::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: :::::::: ::::::::35
35353541414344446Diff1kretsensomenalternativsensor
6.1 Innledning6.2 Diff1kretsen6.3 Behovetforautlignefasene6.4 Kunnevivalgtenannenlsning?6.2.1 SensorenmedDiff1kretsen: :: :: :: :: :: :: :: :: ::: ::: ::: :::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: ::::: :::::47
47474848497Konklusjon
7.1 Oppsummering7.2 Konklusjon: : : :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: :: ::51
5152Tillegg 53
AMOSTransistorenisvakinversjon
A.1EnmodellforMOS-FETtransistorenisvakinversjonA.1.1 KanalforkortningA.1.2 SubstrateffektA.1.3 Produksjonsavhengigevariasjoner: : :: :: :: :: :: :: :: :: ::: ::: ::: ::: ::: ::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: :::: ::::53
53545555Referanser 57
vi
Figurer
2.1 5.25"QIC-band: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 4 2.2 Prinsippskisseavsensoren: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 5 3.1 DiodekopledePogNMOS-FETtransistorer : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 9 3.2 SammenhengmellomstrmogspenningforP-ogN-dioden: : : : : : : : : : : : 10 3.3 Malingerforaillustrerehvordanfotoreseptorenpavirkesavkompresjonen: : : : : 11 3.4 Sammenligningavresponsenforbrnndiodene: : : : : : : : : : : : : : : : : : : 12 3.5 Sammenligningavresponsenforbrnndiodenogburrieddioden: : : : : : : : : : 13 3.6 SnittgjennomNPNfototransistoren: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 15 3.7 SnittgjennomPNPfototransistoren: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 15 3.8 ResponsenforNPNogPNPfototransistorer: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 16 3.9 Frekvensresponsenforfototransistorene: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 17 3.10ResponsenforPNPfototransistorenogbrnndioden : : : : : : : : : : : : : : : : 17 4.1 Allpasslter : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 21 4.2 Faselteret : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 22 4.3 Avvikifasemellomfaselteretogallpasslteret,ogfaselteretsdempning: : : : : 23 4.4 Faselteretisilisium : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 23 4.5 Storsignalresponsforfaselteret: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 24 4.6 Storsignalresponsforfaselteretvedknekkfrekvensen : : : : : : : : : : : : : : : 25 4.7 Maltdempningogfasedreiningforfaselteret: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 26 4.8 Fasesplitteren : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 26 4.9 Vinnog{VinnsomfunksjonavspenningenVfoto: : : : : : : : : : : : : : : : : : : 27 4.10Lavpasslteret : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 28 4.11Wide-rangetranskonduktansforsterker: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 29 4.12Transkonduktansforsterkermedkaskodestrmspeil: : : : : : : : : : : : : : : : : 31 4.13MalingavDC-nivaforlavpass-ogfaselteret: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 32 5.1 Komparatormedhysterese: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 36 5.2 Beregnethystereseisterkinversjon: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 38 5.3 Beregnethystereseisvakinversjon: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 39 5.4 Komparatorenshystereseisvakogsterkinversjon : : : : : : : : : : : : : : : : : 40 5.5 Regulatorenforstrmmentilkomparatorenmedhysterese: : : : : : : : : : : : : 41 5.6 Skisseavsensoren: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 42 5.7 Sensorensresponsutenbakgrunnslys : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 42 5.8 Malingpasensorenmedskrivebordslampesomstykilde: : : : : : : : : : : : : : 43 5.9 Filtrenesresponsmeden200Hzsagtannsomstykilde: : : : : : : : : : : : : : : 45 5.10Sensorensresponsvedblandingavsagtannogsignal : : : : : : : : : : : : : : : : 46
vii
6.1 Diff1kretsen: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 48 6.2 ResponsenforDiff1kretsenved60kHz: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 49 6.3 Fasedreiningforetandreordenslavpasslterved1kHz: : : : : : : : : : : : : : : 50 A.1IdsforenN{transistorisvakinversjon: : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 54
viii
Kapittel1
Innledning
Arbeidetsomhardannetgrunnlagetfordenneoppgavenhardreidsegomannefremtilfotodetek- torerogltresomkanbrukesienlaveffektintegrertsensorforpulsetlys.Sensorenertenktbrukti TandbergsdatalagringsenhetforQICmagnetband,ogbyggerpaetprinsippbedriftenharpatentert [11].OppgavenoppstodsomresultatavetsammarbeidsprosjektmellomTandbergDataogInstitutt forInformatikkvedTorSverreLande.Ifrstefaseavarbeidetbledetlagtvektpannefremtilpassendefotodioderogfototransistorer forenstandardCMOSprosess.Enprosessmedmulighettilalagebeggetyperbipolaretransistorer blevalgtforafaundersktestmuligalternativefotodetektorerSammenmedfotodetektoreneble enheltenkelutgaveavsensorentestet.Denerikkeheltioverensstemmelsemedspesikasjonene ipatententen,mengrunnprinsippeterdetsamme.Iandrefasebleensensormeritradmedspesikasjoneneprvdut.Resultatetavarbeidetmed dennesensorenerprinsippetbakenviktigforbedringiforholdtildenopprinneligepatenten;enkor- rigeringavsensorensterskeliforholdtildettotalebelysningsnivaet.Hovedvektenlaimidlerdtidpa utviklingenavetfasekorrigerendeltersomskalholdesammefasesometandreordenslavpasslter.
Sensoreninneholdtogsaenkomparatormedhystereseognettverkforakorrigerehysteresen.
1.1 Inndelingenavoppgaven
BetegnelseneforMOSFETtransistorensterminaler,gate,sourceogdrainserjegpasomsainnar- beidetogsapanorskatdetharlitenhensiktaoversettedem.Avogtilblandesbetegnelsenemed norskeordsomstrmellerspenningforabeskriveetnettverkstilstand.Tilhengereavstrengsprak- rktvilkanskjefleavskyfordentypenordsammensetninger,menformegerdetennaturligdel avfagterminologien.
Kapittel2
bruksomrade,oghvilkeprinsippersomervalgtforaimtekommedissekravene.DettekapitteletgirenlitenoversiktoverhvilkekravsomstillestilsensorenutfratiltenktKapittel3
hvilkekravdetvilvrenaturligastilletilfotodetektorenidentypesensorsomerlaget.Idettekapitteletblirdeulikefotodetektorenebeskrevetogdetblirforklartlittnrmere1
2 Kapittel1
Kapittel4
hvordandetharpavirketvalgetavltre.Malingeravltrenesresponsogegenskaperpresen-teresforabelyseltrenessterkeogsvakesider.Herbeskrivesltrenesomskalbrukesisensoren,hvilkekravltrenemaoppfylleogKapittel5
terese.Sistedelavkapitteletervietsensorenogtesteravdenneforabelysehvordandenklarersegmeduliketypersty.Idettekapitteletintroduseresdensistebyggestenenisensoren:enkomparatormedhys-Kapittel6
hengigavlikfasedreiningforulikesignalveiersomsensorenbeskrevettidligereirapporten.Lsningeneblirsammenlignetforapekepafordelerogulemperdehariforholdtilhverandre.Dettekapitteletinneholderenbeskrivelseavenalternativlsning,somikkeersaav-Kapittel7
sjon.Dettekapitteletinneholderenoppsummeringavarbeidetmedsensorenogenkonklu-Kapittel2
Bakgrunn
2.1 Innledning
Etavproblemenevedkonstruksjonavsensorsystemerforpulsetellerstatisklyserknyttettilkom- ponenteneselektriskeogoptiskekarakteristikker.Spredningenilysutbyttefraforeksempellys- didoder(LED),erstoroglysutbyttetpavirkesogsaavtemperaturvariasjoner.Pamottakersidener detentilsvarendespredningsomgarpafotodetektorensevnetilakonverterelystilelektrisksig- nal.Forskyvningeravsenderogmottakeriforholdtilidealposisjonene,ogbrytningellerreeksjon somendrerlysetsbane,eretannetproblem.Lysfraomgivelsenekanogsapavirkesensorensfunk- sjon.Entenvedatoperasjonspunktetendres,ellervedatbakgrunnslysetblirforsterktiforholdtil signallyset.Summenavvariasjonenegjrdetndvendigajustereforsterkningellertersklerforafasyste- metsresponsinnenforgittespesikasjoner.Justeringenforetasientestsituasjonhvordetkanvre andrestyforholdennvednormaldrift.Detkanfretilatsystemetikkeoppfrersegsomforventet.
Vartmalerakonstruereenmottakersomikkeerflsomforvariasjonerisignalstyrkenellerlyssom blandersegmedsignalet.KretsenskalproduseresienstandardCMOSprosessoginneholdealle ndvendigekomponenter.
2.2 Adaptivsensorforpulsetlys
Medenadaptivsensormenerjegenmottakersomautomatisktilpassertersklerogreferansertil envarierendemengdebakgrunns-ogsignallysogikkeendrerfunksjonpagrunnavlavfrekvente variasjoneribakgrunnslyset.PerOlavPahrvedTandbergDataharpatentertensensoravdenne typen[11].Prinsippetfradennepatentensomdannergrunnlagetfordekretsenejeghararbeidet med.
2.2.1 Enmuligapplikasjon;lagringsenhetformagnetband
ForTandbergDataermotivetbakutviklingenavensensoravdennetypenbehovetforafornye deleravderesdatalagringsenheterforQIC-magnetband(